Cina Chip IC Elektronik produsen

Layanan Terbaik, Chip Terbaik

Pengadaan Komponen Terbesar di China

Indonesian
Permintaan Penawaran
Produk

Infineon HEXFET Daya MOSFET N Saluran 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Informasi Dasar
Nama merek: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Nomor model: IRLR3915TRPBF
Kuantitas min Order: 1 buah
Waktu pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Harga terbaik Hubungi sekarang
Merek: Teknologi Infineon/Penyearah Internasional IOR Sertifikat: /
Model: IRLR3915TRPBF MOQ: 1 buah
Harga: Negotiated Pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Pembayaran: T/T
Cahaya Tinggi:

Infineon HEXFET Power MOSFET

,

HEXFET Power MOSFET N Channel

,

IRLR3915TRPBF

Deskripsi Produk

 

Infineon HEXFET Daya MOSFET N Saluran 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

 

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/Penyearah Internasional IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK Produk Semikonduktor Diskrit

 

N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Pemasangan Permukaan D-Pak

 

Keterangan

HEXFET® Power MOSFET ini menggunakan teknik pemrosesan terbaru untuk mencapai resistansi yang sangat rendah per area silikon.

Fitur tambahan dari produk ini adalah suhu pengoperasian sambungan 175 °C, kecepatan peralihan yang cepat, dan peningkatan peringkat longsoran berulang.Fitur-fitur ini digabungkan untuk membuat desain ini menjadi perangkat yang sangat efisien dan andal untuk digunakan dalam berbagai macam aplikasi.

 

Fitur :

Teknologi Proses Canggih Daya Tahan Sangat Rendah 175 °C Suhu Pengoperasian Peralihan Cepat Longsoran Berulang Diizinkan hingga Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Spesifikasi Teknis Produk

 

Nomor bagian IRLR3915TRPBF
Nomor bagian dasar IRLR3915
RoHS Uni Eropa Sesuai dengan Pengecualian
ECCN (AS) EAR99
Status Bagian Aktif
HTS 8541.29.00.95
Kategori
Produk Semikonduktor Diskrit
　
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Mfr
Teknologi Infineon
Seri
HEXFET®
Kemasan
Pita & Gulungan (TR)
Status Bagian
Aktif
Tipe FET
N-Saluran
Teknologi
MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss)
55 V
Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V, 10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±16V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1870 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
120W (Tc)
Suhu Operasional
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Jenis pemasangan:
Permukaan gunung
Paket Perangkat Pemasok
D-Pak
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
IRLR3915
 

Label:

Perangkat Semikonduktor Diskrit H30R1602,

IRFB4310PBF,

Perangkat Semikonduktor Diskrit Daya IGBT

Rincian kontak
Lebih Perangkat Semikonduktor Diskrit
Cina Bagus kualitas Chip IC Elektronik pemasok. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.