Cina Chip IC Elektronik produsen

Layanan Terbaik, Chip Terbaik

Pengadaan Komponen Terbesar di China

Indonesian
Permintaan Penawaran
Produk

BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistor FET

BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs
BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs
Informasi Dasar
Nama merek: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Nomor model: BTS282Z E3230
Kuantitas min Order: 1 buah
Waktu pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Harga terbaik Hubungi sekarang
Merek: Teknologi Infineon/Penyearah Internasional IOR Sertifikat: /
Model: BTS282Z E3230 MOQ: 1 buah
Harga: Negotiated Pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Pembayaran: T/T
Cahaya Tinggi:

BTS282Z N Channel MOSFET

,

E3230 N Channel MOSFET

,

TO220-7

Deskripsi Produk

 

BTS282Z E3230 TO220-7 N-Channel MOSFET 49V 80A Transistor FET

 

BTS282ZE3230AKSA2 memberi daya MOSFET dari Infineon Technologies.Disipasi daya maksimumnya adalah 300000 mW.

Untuk memastikan bagian tidak rusak oleh kemasan massal, produk ini hadir dalam kemasan tabung untuk menambahkan sedikit lagi

perlindungan dengan menyimpan bagian yang longgar di tabung luar.

Transistor MOSFET ini memiliki rentang suhu operasi -40 °C hingga 175 °C.

Transistor MOSFET saluran N ini beroperasi dalam mode peningkatan.

 

Spesifikasi:

Kategori
Produk Semikonduktor Diskrit
　
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Mfr
Teknologi Infineon
Seri
TEMPFET®
Kemasan
Tabung
Status Bagian
Usang
Tipe FET
N-Saluran
Teknologi
MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss)
49 V
Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 240µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Fitur FET
Dioda Penginderaan Suhu
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Suhu Operasional
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Jenis pemasangan:
Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok
P-TO220-7-230
Paket / Kasus
UNTUK-220-7

 

 

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
ATRIBUT KETERANGAN
Status RoHS Sesuai ROHS3
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) 1 (Tidak Terbatas)
MENCAPAI Status REACH Tidak terpengaruh
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Nomor bagian BTS282Z E3230
Nomor bagian dasar BTS282Z
RoHS Uni Eropa Sesuai dengan Pengecualian
ECCN (AS) EAR99
Status Bagian Aktif
HTS 8541.29.00.95
 

Label:

Perangkat Semikonduktor Diskrit H30R1602,

IRFB4310PBF,

Perangkat Semikonduktor Diskrit Daya IGBT

Rincian kontak
Lebih Perangkat Semikonduktor Diskrit
Cina Bagus kualitas Chip IC Elektronik pemasok. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.