Cina Chip IC Elektronik produsen

Layanan Terbaik, Chip Terbaik

Pengadaan Komponen Terbesar di China

Indonesian
Permintaan Penawaran
Produk

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Informasi Dasar
Nama merek: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Nomor model: IRF1404ZPBF
Kuantitas min Order: 1 buah
Waktu pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Harga terbaik Hubungi sekarang Obrolan
Merek: Teknologi Infineon/Penyearah Internasional IOR Sertifikat: /
Model: IRF1404ZPBF MOQ: 1 buah
Harga: Negotiated Pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Pembayaran: T/T
Cahaya Tinggi:

Transistor Saluran 200W N

,

Transistor Saluran 180A N

,

IRF1404ZPBF

Deskripsi Produk

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

 

Transistor IRF1404ZPBF N-Channel 180A 200W Melalui Lubang TO-220AB HEXFET FETs MOSFET

 

N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Melalui Lubang TO-220AB Spesifikasi:

Kategori
Produk Semikonduktor Diskrit
　
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Mfr
Teknologi Infineon
Seri
HEXFET®
Kemasan
Tabung
Tipe FET
N-Saluran
Teknologi
MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss)
40 V
Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4340 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
200W (Tc)
Suhu Operasional
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Jenis pemasangan:
Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok
KE-220AB
Paket / Kasus
KE-220-3
Nomor Produk Dasar
IRF1404

 

Keterangan

HEXFET® Power MOSFET ini menggunakan teknik pemrosesan terbaru untuk mencapai resistansi yang sangat rendah per area silikon.

Fitur tambahan dari produk ini adalah suhu pengoperasian sambungan 175 °C, kecepatan peralihan yang cepat, dan peningkatan peringkat longsoran berulang.Fitur-fitur ini digabungkan untuk membuat desain ini menjadi perangkat yang sangat efisien dan andal untuk digunakan dalam berbagai macam aplikasi.

Label:

Perangkat Semikonduktor Diskrit H30R1602,

IRFB4310PBF,

Perangkat Semikonduktor Diskrit Daya IGBT

Rincian kontak
Lebih Perangkat Semikonduktor Diskrit
Cina Bagus kualitas Chip IC Elektronik pemasok. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.