Cina Chip IC Elektronik produsen

Layanan Terbaik, Chip Terbaik

Pengadaan Komponen Terbesar di China

Indonesian
Permintaan Penawaran
Produk

H30R1602 Perangkat Semikonduktor Diskrit Daya Transistor IHW30N160R2 IGBT

H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor
H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor
Informasi Dasar
Nama merek: Infineon Technoctifier Ilogies/International ReOR
Nomor model: IHW30N160R2FKSA1
Kuantitas min Order: 1 buah
Waktu pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Harga terbaik Hubungi sekarang
Merek: Teknologi Infineon/Penyearah Internasional IOR Sertifikat: /
Model: IHW30N160R2FKSA1 MOQ: 1 buah
Harga: Negotiated Pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Pembayaran: T/T
Cahaya Tinggi:

Perangkat Semikonduktor Diskrit H30R1602

,

Perangkat Semikonduktor Diskrit Daya IGBT

,

IHW30N160R2

Deskripsi Produk

 

IHW30N160R2 IGBTs Transistor H30R1602 Soft Switching Series Power Semikonduktor IC IHW30N160R2FKSA1Seri Pengalihan Lembut

 

Aplikasi:
• Memasak Induktif
• Aplikasi Perpindahan Lunak

 

Keterangan:

TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT dengan dioda bodi monolitik
Fitur:
• Body Diode monolitik yang kuat dengan tegangan maju yang sangat rendah
• Body diode menjepit tegangan negatif
• Teknologi Trench and Fieldstop untuk aplikasi 1600 V menawarkan :
- distribusi parameter yang sangat ketat
- kekasaran tinggi, perilaku stabil suhu
• Teknologi NPT menawarkan kemampuan switching paralel yang mudah karena
koefisien suhu positif dalam VCE(sat)
• EMI rendah
• Memenuhi syarat menurut JEDEC1
untuk aplikasi sasaran
• Pelapisan timbal bebas Pb;Sesuai RoHS

 

Spesifikasi:IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Melalui Lubang PG-TO247-3-1

Nomor bagianIHW30N160R2
Kategori
Produk Semikonduktor Diskrit
　
Transistor - IGBT - Tunggal
Seri
TrenchStop®
Kemasan
Tabung
Tipe IGBT
NPT, Perhentian Lapangan Parit
Tegangan - Kerusakan Kolektor Emitter (Maks)
1600 V
Arus - Kolektor (Ic) (Maks)
60 A
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm)
90 A
Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Daya - Maks
312 W
Beralih Energi
4.37mJ
Tipe masukan
Standar
Biaya Gerbang
94 nC
Td (hidup/mati) @ 25 °C
-/525ns
Tes kondisi
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Suhu Operasional
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Jenis pemasangan:
Melalui Lubang
Paket / Kasus
KE-247-3
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO247-3-1
 

Label:

Perangkat Semikonduktor Diskrit H30R1602,

IRFB4310PBF,

Perangkat Semikonduktor Diskrit Daya IGBT

Rincian kontak
Lebih Perangkat Semikonduktor Diskrit
Cina Bagus kualitas Chip IC Elektronik pemasok. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.