Cina Chip IC Elektronik produsen

Layanan Terbaik, Chip Terbaik

Pengadaan Komponen Terbesar di China

Indonesian
Permintaan Penawaran
Produk

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Daya MOSFET IRFB7440PBF 40V 120A

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
Informasi Dasar
Nama merek: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Nomor model: IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Kuantitas min Order: 1 buah
Waktu pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Harga terbaik Hubungi sekarang
Merek: Teknologi Infineon/Penyearah Internasional IOR Sertifikat: /
Model: IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF MOQ: 1 buah
Harga: Negotiated Pengiriman: 2 ~ 8 hari kerja
Pembayaran: T/T
Cahaya Tinggi:

FET HEXFET Daya MOSFET

,

IRFB7440PBF HEXFET Daya MOSFET

,

IRFB4310PBF

Deskripsi Produk

 

IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistor TO-220AB HEXFET FETs MOSFET

 

Transistor N-Channel 180A 200W Melalui Lubang TO-220AB HEXFET FETs MOSFET

---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A​

 

Keterangan:
HEXFET® Power MOSFET ini menggunakan teknik pemrosesan terbaru untuk mencapai resistansi yang sangat rendah per area silikon.
Fitur tambahan dari produk ini adalah suhu pengoperasian sambungan 175 °C, kecepatan peralihan yang cepat, dan peningkatan peringkat longsoran berulang.Fitur-fitur ini digabungkan untuk membuat desain ini menjadi perangkat yang sangat efisien dan andal untuk digunakan dalam berbagai macam aplikasi.

N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Melalui Lubang TO-220AB Spesifikasi:

Kategori
Produk Semikonduktor Diskrit
　
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Mfr
Teknologi Infineon
Seri
HEXFET®
Kemasan
Tabung
Tipe FET
N-Saluran
Teknologi
MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss)
40 V
Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4340 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
200W (Tc)
Suhu Operasional
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Jenis pemasangan:
Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok
KE-220AB
Paket / Kasus
KE-220-3
Nomor Produk Dasar
IRF1404

 

Label:

Perangkat Semikonduktor Diskrit H30R1602,

IRFB4310PBF,

Perangkat Semikonduktor Diskrit Daya IGBT

Rincian kontak
Lebih Perangkat Semikonduktor Diskrit
Cina Bagus kualitas Chip IC Elektronik pemasok. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.